Тайваньская TSMC объявила о старте массового выпуска микросхем по технологии N2 (2-нанометровый процесс) в четвёртом квартале 2025 года. Информация была опубликована на официальном сайте компании. Это событие отражает переход полупроводниковой отрасли к новому поколению производственных процессов и реализацию ранее озвученных планов TSMC.
В основе технологии N2 лежит архитектура транзисторов типа Gate-All-Around (GAA) с нанолистовой структурой. Данная конструкция пришла на смену традиционным FinFET-транзисторам, которые на более тонких техпроцессах сталкивались с физическими ограничениями. Применение GAA обеспечивает улучшенное управление электрическим током и позволяет повысить плотность размещения транзисторов на кристалле.
По сравнению с предыдущим процессом N3E (3-нанометровое поколение), новая технология даёт прирост производительности на 10–15% при сохранении того же уровня энергопотребления. Альтернативно, при неизменной вычислительной мощности возможно снижение энергопотребления на 25–30%. Это делает процесс N2 востребованным для устройств, где критичны как скорость обработки данных, так и энергоэффективность.
Помимо смены транзисторной архитектуры, в процесс интегрированы конденсаторы SHPMIM, которые способствуют стабилизации питания и повышению общей энергоэффективности готовых чипов. Эти элементы призваны оптимизировать работу высокопроизводительных систем под большими нагрузками.
Массовое производство развёрнуто на предприятии Fab 22 в городе Гаосюн на Тайване. Компания отмечает, что переход на новый техпроцесс прошёл в соответствии с графиком, озвученным на предыдущих этапах разработки.
TSMC планирует ускоренное наращивание объёмов выпуска в 2026 году. Ожидается, что основными потребителями новой технологии станут производители флагманских смартфонов, систем высокопроизводительных вычислений и решений для искусственного интеллекта. Компания заявляет о готовности удовлетворить спрос со стороны ключевых клиентов в указанных сегментах.