Южнокорейская компания SK Hynix объявила об инвестициях в размере $12,9 млрд в строительство нового завода по производству микросхем памяти в городе Чхонджу. Начало строительства запланировано на апрель 2026 года, а ввод предприятия в эксплуатацию намечен на конец 2027 года.
Новое производство будет специализироваться на передовых технологиях упаковки микросхем. Эти технологии позволяют объединять несколько кристаллов памяти в единые высокоплотные модули, что повышает производительность и энергоэффективность конечного продукта. Основной фокус — высокоскоростная память типа HBM (High Bandwidth Memory), спрос на которую растёт вместе с развитием систем искусственного интеллекта.
SK Hynix занимает одну из ведущих позиций на глобальном рынке памяти HBM, которая критически важна для процессоров ИИ, в том числе решений компании Nvidia. Рост спроса на подобные микросхемы привёл к повышению цен и увеличению прибыльности сегмента. Одновременно усиливается конкуренция: главный соперник — Samsung Electronics — также заявил о планах наращивания производства памяти для систем искусственного интеллекта.
По прогнозам SK Hynix, рынок HBM будет стабильно расширяться. Однако производство такой памяти технологически сложнее традиционных типов. Переориентация мощностей производителей на выпуск HBM сокращает предложение обычной DRAM-памяти и приводит к общему росту цен в отрасли. Аналитики ожидают заметного повышения средних цен на DRAM, включая HBM, уже в текущем квартале.